APT50GN120L2DQ2G, IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 50 A TO-264 MAX
![APT50GN120L2DQ2G, IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 50 A TO-264 MAX](https://static.chipdip.ru/lib/160/DOC043160423.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 630 руб.
от 10 шт. —
4 400 руб.
от 25 шт. —
4 060 руб.
от 100 шт. —
3 619.35 руб.
1 шт.
на сумму 4 630 руб.
Плати частями
от 1 159 руб. × 4 платежа
от 1 159 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 134 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 134 A |
Continuous Collector Current: | 134 A |
Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
Package/Case: | TO-264-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 543 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 11 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов