APT50GN60BG, IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
![Фото 1/2 APT50GN60BG, IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769642.jpg)
1 460 руб.
от 100 шт. —
1 040 руб.
1 шт.
на сумму 1 460 руб.
Плати частями
от 365 руб. × 4 платежа
от 365 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 107 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 107 A |
Continuous Collector Current: | 107 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 366 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Case | TO247-3 |
Collector current | 64A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate charge | 325nC |
Gate-emitter voltage | ±30V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
Mounting | THT |
Power dissipation | 366W |
Pulsed collector current | 150A |
Turn-off time | 0.4µs |
Turn-on time | 45ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 136 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов