APT80GA90B, IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-247
![APT80GA90B, IGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 940 руб.
1 шт.
на сумму 2 940 руб.
Плати частями
от 735 руб. × 4 платежа
от 735 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 900 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 145 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 625 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet APT64GA90B2D30
pdf, 226 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов