STGB7H60DF, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

765 шт., срок 5-7 недель

400 руб.

от 10 шт. — 310 руб.

от 100 шт. — 226 руб.

от 500 шт. — 178.58 руб.

1 шт. на сумму 400 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004828507

Артикул: STGB7H60DF

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	14 A
Factory Pack Quantity:	1000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation:	88 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2