STGB8NC60KDT4, IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1942 шт., срок 5-7 недель

480 руб.

от 10 шт. — 380 руб.

от 100 шт. — 282 руб.

от 250 шт. — 244.17 руб.

1 шт. на сумму 480 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004828509

Артикул: STGB8NC60KDT4

Unclassified

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.2 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	15 A
Continuous Collector Current Ic Max:	15 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	D2PAK-3
Pd - Power Dissipation:	65 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	STGB8NC60KD
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2.24