STGD3HF60HDT4, IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM

STGD3HF60HDT4, IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
19498 шт., срок 5-7 недель
290 руб.
от 10 шт.230 руб.
от 100 шт.167 руб.
от 500 шт.132.14 руб.
1 шт. на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004828514
Артикул: STGD3HF60HDT4
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.45 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 7.5 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: DPAK
Pd - Power Dissipation: 38 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGD3HF60HDT4
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 0.26

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1034 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.