STGD3HF60HDT4, IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
![STGD3HF60HDT4, IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM](https://static.chipdip.ru/lib/540/DOC006540388.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19498 шт., срок 5-7 недель
290 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
167 руб.
от 500 шт. —
132.14 руб.
1 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.45 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 7.5 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | DPAK |
Pd - Power Dissipation: | 38 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGD3HF60HDT4 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 0.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1034 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.