STGD7NB60ST4, IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
![STGD7NB60ST4, IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp](https://static.chipdip.ru/lib/754/DOC010754198.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2248 шт., срок 5-7 недель
620 руб.
от 10 шт. —
490 руб.
от 100 шт. —
366 руб.
от 250 шт. —
315.98 руб.
1 шт.
на сумму 620 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 15 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 15 A |
Continuous Collector Current: | 7 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 55 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGD7NB60S |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerMESH |
Вес, г | 3.95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 291 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.