STGD8NC60KDT4, IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET

STGD8NC60KDT4, IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2438 шт., срок 5-7 недель
450 руб.
от 10 шт.360 руб.
от 100 шт.269 руб.
от 250 шт.211.13 руб.
1 шт. на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004828519
Артикул: STGD8NC60KDT4
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 15 A
Continuous Collector Current Ic Max: 15 A
Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation: 62 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet
pdf, 540 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.