STGF10H60DF, IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
![Фото 1/2 STGF10H60DF, IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd](https://static.chipdip.ru/lib/364/DOC013364476.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC006173607.jpg)
1187 шт., срок 5-7 недель
340 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
231 руб.
от 250 шт. —
215.21 руб.
1 шт.
на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 30 W |
Вид монтажа: | Through Hole |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | +175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 20 V |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 20 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 10 A |
Подкатегория: | IGBTs |
Производитель: | STMicroelectronics |
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1000 |
Серия: | STGF10H60DF |
Технология: | Si |
Тип продукта: | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер: | 250 nA |
Торговая марка: | STMicroelectronics |
Упаковка / блок: | TO-220-3 FP |
Упаковка: | Tube |
Automotive | No |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
Maximum Continuous Collector Current (A) | 20 |
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.25 |
Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220FP |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Technology | Field Stop|Trench |
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5 |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 760 КБ
Datasheet STGF10H60DF
pdf, 899 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.