STGF8NC60KD, IGBTs N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET
![STGF8NC60KD, IGBTs N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/170/DOC043170877.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1980 шт., срок 5-7 недель
430 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
244 руб.
от 500 шт. —
193.42 руб.
1 шт.
на сумму 430 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 7 A |
Continuous Collector Current Ic Max: | 7 A |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220-3 FP |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 24 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 540 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.