STGP10NB60S, IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3400 шт., срок 5-7 недель
660 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
331 руб.
от 500 шт. —
277.68 руб.
1 шт.
на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 29 А, 80 Вт
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 10 A |
| Continuous Collector Current at 25 C | 20 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
| Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 600-650V IGBTs |
| Technology | Si |
| Width | 4.6 mm |
| Вес, г | 6 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
