STGW40V60DF, IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
![Фото 1/4 STGW40V60DF, IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/160/DOC024160592.jpg)
470 шт., срок 5-7 недель
970 руб.
от 10 шт. —
820 руб.
от 25 шт. —
684 руб.
от 100 шт. —
548.17 руб.
1 шт.
на сумму 970 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ, 600В 80A TO-247 Tube Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Gate Charge | 226nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 283W |
Reverse Recovery Time (trr) | 41ns |
Series | - |
Standard Package | 30 |
Supplier Device Package | TO-247 |
Switching Energy | 456ВµJ(on), 411ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 52ns/208ns |
Test Condition | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet STGFW40V60DF, STGW40V60DF,STGWT40V60DF
pdf, 1827 КБ
STGFW40V60DF, STGW40V60DF, STGWT40V60DF
pdf, 609 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.