STGW80V60DF, IGBTs Trench gate V series 600V 80A HiSpd
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
153 шт., срок 5-7 недель
1 790 руб.
от 10 шт. —
1 570 руб.
от 25 шт. —
1 440 руб.
от 100 шт. —
1 163.37 руб.
1 шт.
на сумму 1 790 руб.
Плати частями
от 449 руб. × 4 платежа
от 449 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M предлагают оптимизированный компромисс между VCE (SAT) и E (выкл.), А также надежный рейтинг короткого замыкания. Ознакомьтесь с полным ассортиментом полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов ST для любых силовых схем.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 469 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGW80V60DF |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 120 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 469 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Current (DC) | 120(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
| Configuration | Single |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Packaging | Rail/Tube |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
