STGWA40H120F2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 шт., срок 5-7 недель

2 910 руб.

от 10 шт. — 2 370 руб.

от 25 шт. — 2 020 руб.

от 100 шт. — 1 718.30 руб.

1 шт. на сумму 2 910 руб.

Плати частями
от 729 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004828639

Артикул: STGWA40H120F2

Unclassified

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current:	40 A
Factory Pack Quantity:	600
Gate-Emitter Leakage Current:	250 nA
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	468 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	7