STGY50NC60WD, IGBTs 600V 65A N-Channel
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1162 шт., срок 5-7 недель
3 060 руб.
от 25 шт. —
2 290 руб.
от 600 шт. —
2 130 руб.
1 шт.
на сумму 3 060 руб.
Плати частями
от 765 руб. × 4 платежа
от 765 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 110 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 110 A |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | Max247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 278 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 539 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
