STW88N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
![Фото 1/6 STW88N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5](https://static.chipdip.ru/lib/581/DOC044581516.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC028959609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/494/DOC027494213.jpg)
3284 шт., срок 6-8 недель
3 630 руб.
от 10 шт. —
3 450 руб.
от 25 шт. —
2 910 руб.
от 50 шт. —
2 786.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 630 руб.
Плати частями
от 909 руб. × 4 платежа
от 909 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 50,5А, 450Вт, TO247-3
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
Maximum Drain Source Resistance | 29 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 450 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh M5 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 204 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 600 |
Id - Continuous Drain Current | 84 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 450 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 204 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Диапазон рабочих температур | +150 °С |
Емкость, пФ | 8825 |
Заряд затвора, нКл | 204 |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±25 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 650 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 84 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 29 |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-450 Вт |
Описание | N-Channel 650 V 84A(Tc)450W(Tc)Through Hole TO-247-3 |
Способ монтажа | Through Hole |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*49/90 |
Упаковка | TUBE, 30 шт. |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1223 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1198 КБ
Datasheet STW88N65M5
pdf, 1196 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.