FFSH10120ADN-F155, Schottky Diodes & Rectifiers 1200V SiC SBD 10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 530 руб.
от 10 шт. —
1 230 руб.
от 100 шт. —
1 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 530 руб.
Плати частями
от 384 руб. × 4 платежа
от 384 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
FFSH SiC Schottky Diodes onsemi FFSH Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved system efficiency and have a max junction temperature of +175°C. These onsemi Schottky Diodes have no switching loss and a high surge current capacity. FFSH diodes use Silicon Carbide semiconductor material for higher operating frequency, increasing power density and reduction of system size/cost. This ensures high reliability and robust operation during surge or over-voltage conditions.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Configuration: | Dual Anode Common Cathode |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 42 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Technology: | SiC |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 386 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
