FGH50T65UPD, IGBTs 650 V 100 A 240 W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 руб.
от 25 шт. —
900 руб.
от 100 шт. —
771 руб.
1 шт.
на сумму 1 250 руб.
Плати частями
от 314 руб. × 4 платежа
от 314 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
FGAFx0N60 Field Stop IGBTsonsemi FGAFx0N60 650V Field Stop IGBTs use a novel field stop IGBT technology. These IGBTs feature high current capability, low saturation voltage, high input impedance, and fast switching. onsemi FGAFx0N60 IGBTs offer the optimum performance for solar inverters, UPS, welder, and PFC applications that require low conduction and switching losses.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 340 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | FGH50T65UPD |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 6.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 462 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
