J175-D26Z, JFET P-Channel Switch
![Фото 1/4 J175-D26Z, JFET P-Channel Switch](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827887.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514955.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/351/DOC024351731.jpg)
150 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
61 руб.
от 1000 шт. —
39.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Описание ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -7 мА, -60 мА, 6 В
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | -7 mA to-60 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Gate-Source Cutoff Voltage: | 6 V |
Manufacturer: | onsemi |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 Kinked Lead |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | J175_D26Z |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 Ohms |
Series: | J175 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Type: | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 350 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.379 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 397 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов