MMBD1201, Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
![Фото 1/2 MMBD1201, Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast](https://static.chipdip.ru/lib/559/DOC006559262.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/116/DOC021116717.jpg)
60 руб.
от 10 шт. —
37 руб.
от 100 шт. —
17 руб.
от 1000 шт. —
11.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Diodes - General Purpose, Power, Switching
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация High Conductance Ultra Fast
Технические параметры
If - прямой ток | 200 mA |
Ir - обратный ток | 0.05 uA |
Vf - прямое напряжение | 1.1 V |
Vr - обратное напряжение | 100 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время восстановления | 4 ns |
Высота | 0.93 mm |
Длина | 2.92 mm |
Другие названия товара № | MMBD1201_NL |
Категория продукта | Диоды - общего назначения, управление питанием, ко |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный ток перегрузки | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Пиковое обратное напряжение | 100 V |
Подкатегория | Diodes Rectifiers |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMBD1201 |
Тип | Small Signal Switching Diode |
Тип продукта | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SOT-23 |
Ширина | 1.3 mm |
Configuration | Single |
Forward Current | 200(mA) |
Forward Voltage | 1.1(V) |
Maximum Forward Current | 200(mA) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | SOT-23 |
Packaging | Tape and Reel |
Peak Forward Voltage | 1.1(V) |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 2(A) |
Peak Rep Rev Volt | 100(V) |
Peak Reverse Current | 0.05(uA) |
Peak Reverse Recovery Time | 4(ns) |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation (Max) | 350(mW) |
Product Depth (mm) | 1.3(mm) |
Product Height (mm) | 0.94(mm) |
Rad Hardened | No |
Rev Curr | 0.05(uA) |
Rev Recov Time | 4(ns) |
Diode Configuration | Single |
Maximum Diode Capacitance | 2pF |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Reverse Voltage | 100V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Power Dissipation | 350mW |
Width | 1.3mm |
Вес, г | 0.031 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов