NDP6060L, MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 руб.
от 10 шт. —
580 руб.
от 50 шт. —
481 руб.
от 100 шт. —
440.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 48А, 100Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 161 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | NDP6060L_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Rise Time: | 320 ns |
| Series: | NDP6060L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 2.913 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 502 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
