HMC415LP3ETR, RF Amplifier InGaP HBT pow amp SMT, 4.9 - 5.9 GHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 690 руб.
от 10 шт. —
4 080 руб.
от 25 шт. —
3 560 руб.
от 100 шт. —
3 051.04 руб.
1 шт.
на сумму 4 690 руб.
Плати частями
от 1 174 руб. × 4 платежа
от 1 174 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
RF, микроволновая печь, amp; Миллиметровая волна ADI SLP
Технические параметры
| Brand: | Analog Devices |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain: | 20 dB |
| Input Return Loss: | 10 dB |
| Manufacturer: | Analog Devices Inc. |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| NF - Noise Figure: | 6 dB |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| OIP3 - Third Order Intercept: | 31 dBm |
| Operating Frequency: | 4.9 GHz to 5.9 GHz |
| Operating Supply Current: | 285 mA |
| Operating Supply Voltage: | 3 V |
| P1dB - Compression Point: | 22.5 dBm |
| Package / Case: | QFN-16 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.105 W |
| Product Category: | RF Amplifier |
| Product Type: | RF Amplifier |
| Product: | InGaP/GaAs HBT |
| Series: | HMC415 |
| Subcategory: | Wireless & RF Integrated Circuits |
| Technology: | GaAs InGaP |
| Test Frequency: | 4.9 GHz to 5.1 GHz |
| Type: | Power Amplifiers |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 410 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
