BQ2205LYPW, Memory Controllers Battery Back-up for Dual SRAM Banks

BQ2205LYPW, Memory Controllers Battery Back-up for Dual SRAM Banks
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
940 руб.
от 10 шт.790 руб.
от 90 шт.659 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 940 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004994754
Артикул: BQ2205LYPW
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Memory ICs\Memory Controllers
Контроллеры памяти Battery Back-up for Dual SRAM Banks

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.15 mm
Диапазон рабочих температур 20 C to + 70 C
Длина 5 mm
Индикатор состояния литиевой батареи Yes
Категория продукта Контроллеры памяти
Количество каналов памяти 1
Максимальная рабочая температура + 70 C
Минимальная рабочая температура 20 C
Напряжение питания - макс. 3.6 V
Напряжение питания - мин. 3 V
Описание/функция Provides all the necessary functions for convertin
Переключение на резервное батарейное питание Yes
Подкатегория Memory Data Storage
Рабочее напряжение питания 3 V to 3.6 V
Рабочий ток источника питания 210 uA
Размер фабричной упаковки 90
Серия BQ2205LY
Тип Non-Volatile SRAM (NVSRAM)
Тип памяти Nonvolatile SRAM
Тип продукта Memory Controllers
Торговая марка Texas Instruments
Упаковка Tube
Упаковка / блок TSSOP-16
Ширина 4.4 mm
Base Product Number BQ2205 ->
Controller Type Nonvolatile SRAM
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -20В°C ~ 70В°C
Package Tube
Package / Case 16-TSSOP (0.173"", 4.40mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 16-TSSOP
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Вес, г 0.062

Техническая документация

Datasheet
pdf, 856 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем