CSD16403Q5A, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
![Фото 1/3 CSD16403Q5A, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531185.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/057/DOC015057323.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC002944081.jpg)
320 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 100 шт. —
190 руб.
от 500 шт. —
159.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
Qg - заряд затвора | 13.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 18.3 ns |
Время спада | 9.2 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 91 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD16403Q5A |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15.2 ns |
Типичное время задержки при включении | 11.8 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSONP-8 |
Ширина | 4.9 mm |
Крутизна характеристики S,А/В | 91 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1.6 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3.1 |
Температура, С | -55…+150 |
Brand | Texas Instruments |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 9.2 ns |
Forward Transconductance - Min | 91 S |
Height | 1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 28 A |
Length | 4.9 mm |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | VSON-FET-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 13.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 mOhms |
Rise Time | 18.3 ns |
RoHS | Details |
Series | CSD16403Q5A |
Technology | Si |
Tradename | NexFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V |
Width | 5.75 mm |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet CSD16403Q5A
pdf, 210 КБ
Документация
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов