CSD16409Q3, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
![Фото 1/2 CSD16409Q3, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/567/DOC006567532.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/225/DOC026225772.jpg)
230 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
136 руб.
от 500 шт. —
120.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.6 W |
Qg - заряд затвора | 4 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10.6 ns |
Время спада | 3.4 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.3 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 38 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD16409Q3 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 6.3 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
Ширина | 3.3 mm |
Brand | Texas Instruments |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 3.4 ns |
Forward Transconductance - Min | 38 S |
Height | 1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 15 A |
Length | 3.3 mm |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | VSON-Clip-8 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 2.6 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 4 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9.5 mOhms |
Rise Time | 10.6 ns |
RoHS | Details |
Series | CSD16409Q3 |
Technology | Si |
Tradename | NexFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 6.3 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
Width | 3.3 mm |
Вес, г | 0.0418 |
Техническая документация
Datasheet CSD16409Q3
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов