CSD17308Q3, MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
![Фото 1/3 CSD17308Q3, MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/164/DOC044164166.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/567/DOC006567531.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/508/DOC004508308.jpg)
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
146 руб.
от 500 шт. —
110.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги4
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 28 W |
Qg - заряд затвора | 3.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.3 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5.7 ns |
Время спада | 2.3 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.3 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD17308Q3 |
Средства разработки | BQ500211AEVM-210 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 9.9 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
Ширина | 3.3 mm |
RoHS Compliant | Yes |
Вес, г | 0.068 |
Техническая документация
Datasheet CSD17308Q3
pdf, 520 КБ
Документация
pdf, 406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов