CSD17381F4T, MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
![CSD17381F4T, MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/115/DOC029115844.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 100 шт. —
129 руб.
от 250 шт. —
124.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PICOSTAR |
Pin Count | 3 |
Series | FemtoFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1.04 nC @ 4.5 V |
Width | 0.64mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов