CSD17573Q5BT, MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET

CSD17573Q5BT, MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
410 руб.
от 10 шт.330 руб.
от 100 шт.242 руб.
от 250 шт.219.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 410 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004997212
Артикул: CSD17573Q5BT
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 250
Fall Time: 7 ns
Forward Transconductance - Min: 181 S
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation: 195 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 64 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.19 mOhms
Rise Time: 20 ns
Series: CSD17573Q5B
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
Typical Turn-On Delay Time: 6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.1 V
Вес, г 36

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов