CSD18511Q5AT, MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

470 руб.

от 10 шт. — 360 руб.

от 100 шт. — 264 руб.

от 250 шт. — 246.56 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004997240

Артикул: CSD18511Q5AT

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 104Вт, VSONP8, 5x6мм Характеристики

Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	750
Fall Time:	5 ns
Forward Transconductance - Min:	5.2 S
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSONP-8
Pd - Power Dissipation:	104 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	82 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	2.7 mOhms
Rise Time:	15 ns
Series:	CSD18511Q5A
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Вес, кг	7.56

Мы рекомендуем