CSD18514Q5AT, MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
![Фото 1/2 CSD18514Q5AT, MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/565/DOC044565236.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC027214400.jpg)
440 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
192 руб.
от 250 шт. —
179.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 50А, 74Вт, VSONP8, 5x6мм Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 59 S |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSONP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 74 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 38 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
Rise Time: | 22 ns |
Series: | CSD18514Q5A |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
Вес, г | 0.08 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов