CSD19532Q5B, MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch NexFET Power MOSFET
![Фото 1/2 CSD19532Q5B, MOSFETs 100V 4.0 mOhm N-Ch NexFET Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC027219472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/973/DOC029973753.jpg)
650 руб.
от 10 шт. —
520 руб.
от 100 шт. —
402 руб.
от 250 шт. —
372.80 руб.
1 шт.
на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 84 S |
Id - Continuous Drain Current: | 140 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 195 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 48 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.9 mOhms |
Rise Time: | 6 ns |
Series: | CSD19532Q5B |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Вес, г | 0.345 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 901 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов