CSD86311W1723, MOSFETs Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
158 руб.
от 500 шт. —
124.92 руб.
1 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Dual N-Channel Nex FET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Qg - заряд затвора | 3.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 42 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.3 ns |
| Время спада | 2.9 ns |
| Высота | 0.62 mm |
| Длина | 2.32 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.4 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD86311W1723 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.4 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-12 |
| Ширина | 1.74 mm |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 12 |
| Supplier Package | Wafer |
| Standard Package Name | Wafer |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 0.35 |
| Package Length | 2.32 |
| Package Width | 1.74 |
| PCB changed | 12 |
| Brand | Texas Instruments |
| Configuration | Dual Common Source |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 2.9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6.4 S |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | DSBGA-12 |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
| Rise Time | 4.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CSD86311W1723 |
| Technology | Si |
| Tradename | NexFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Вес, г | 0.0041 |
Техническая документация
Datasheet CSD86311W1723
pdf, 869 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
