TPS51601ADRBT, Gate Drivers Dual High-Eff Sync MOSFET Driver

TPS51601ADRBT, Gate Drivers Dual High-Eff Sync MOSFET Driver
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
от 10 шт.390 руб.
1 шт. на сумму 490 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005018367
Артикул: TPS51601ADRBT
Бренд: Texas Instruments

Описание

Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Драйверы для управления затвором Dual High-Eff Sync MOSFET Driver

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур 40 C to + 105 C
Категория продукта Драйверы для управления затвором
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 105 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение питания - макс. 5.5 V
Напряжение питания - мин. 4.5 V
Особенности Dead Time Control
Подкатегория PMIC - Power Management ICs
Рабочее напряжение питания 4.5 V to 5.5 V
Размер фабричной упаковки 250
Серия TPS51601A
Технология Si
Тип продукта Gate Drivers
Торговая марка Texas Instruments
Упаковка / блок SON-8
Base Product Number TPS51601 ->
Channel Type Synchronous
Driven Configuration Half-Bridge
ECCN EAR99
Gate Type N-Channel MOSFET
HTSUS 8542.39.0001
Input Type Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 0.7V, 4V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40В°C ~ 105В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
REACH Status REACH Unaffected
Rise / Fall Time (Typ) 15ns, 10ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 8-SON (3x3)
Voltage - Supply 4.5V ~ 5.5V
Вес, г 0.024

Техническая документация

Datasheet TPS51601ADRBT
pdf, 1447 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем