2N3053A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 0.7A NPN 80Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 5.0W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
901 шт., срок 5-7 недель
2 010 руб.
от 10 шт. —
1 640 руб.
от 25 шт. —
1 490 руб.
от 100 шт. —
1 275.87 руб.
1 шт.
на сумму 2 010 руб.
Плати частями
от 504 руб. × 4 платежа
от 504 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 700 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 50 |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-39 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1.01 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
