2N3108 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

2N3108 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
129 шт., срок 5-7 недель
1 050 руб.
от 10 шт.820 руб.
от 25 шт.745 руб.
от 100 шт.596.05 руб.
1 шт. на сумму 1 050 руб.
Плати частями
от 264 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005049500
Артикул: 2N3108 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 500
Gain Bandwidth Product fT: 60 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 800 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1.01

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.