2N3501 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
251 шт., срок 5-7 недель
1 520 руб.
от 10 шт. —
1 210 руб.
от 25 шт. —
1 170 руб.
от 100 шт. —
938.35 руб.
1 шт.
на сумму 1 520 руб.
Плати частями
от 380 руб. × 4 платежа
от 380 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 150 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1.01 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
