2N5400 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4326 шт., срок 5-7 недель
150 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
86 руб.
от 500 шт. —
65 руб.
1 шт.
на сумму 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 130 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 120 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 400 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 777 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
