2N5401 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp
![2N5401 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pr Amp](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC030799014.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20369 шт., срок 5-7 недель
69 руб.
от 10 шт. —
64 руб.
от 100 шт. —
57 руб.
от 500 шт. —
51.95 руб.
1 шт.
на сумму 69 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 600 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 at 10 mA, 5 V |
DC Current Gain hFE Max: | 240 at 10 mA, 5 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | 2N54 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 779 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.