2N5961 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3093 шт., срок 5-7 недель

220 руб.

от 10 шт. — 180 руб.

от 100 шт. — 119 руб.

от 500 шт. — 90.01 руб.

1 шт. на сумму 220 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005049614

Артикул: 2N5961 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	200 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	150 at 10 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max:	700 at 10 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Gain Bandwidth Product fT:	100 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	50 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	625 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	2N59
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.45