2N6190 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт., срок 5-7 недель
2 850 руб.
от 10 шт. —
2 330 руб.
1 шт.
на сумму 2 850 руб.
Плати частями
от 714 руб. × 4 платежа
от 714 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 30 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 10 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
