2N6431 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

2N6431 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1239 шт., срок 5-7 недель
1 000 руб.
от 10 шт.830 руб.
от 25 шт.758 руб.
от 100 шт.648.71 руб.
1 шт. на сумму 1 000 руб.
Плати частями
от 250 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005049653
Артикул: 2N6431 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 300 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-18-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.31

Техническая документация

Datasheet
pdf, 709 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.