2SC1815 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mW
![Фото 1/3 2SC1815 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 50Vceo 5.0V 150mA 400mA 400mW](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514956.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735657.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/851/DOC004851980.jpg)
7445 шт., срок 5-7 недель
270 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
157 руб.
от 500 шт. —
130.22 руб.
1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 400mW
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 150 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 |
DC Current Gain hFE Max: | 700 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 80MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Bulk |
Power - Max | 400mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 1.79 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.