BC212B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Trans 50Vcbo 200mA Ic 350mW

BC212B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Trans 50Vcbo 200mA Ic 350mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2762 шт., срок 5-7 недель
180 руб.
от 10 шт.160 руб.
от 100 шт.100 руб.
от 500 шт.80.35 руб.
1 шт. на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005049686
Артикул: BC212B PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
DC Current Gain hFE Max: 400
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.21

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.