BCY59-IX PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
![BCY59-IX PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W](https://static.chipdip.ru/lib/798/DOC030798840.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1854 шт., срок 5-7 недель
600 руб.
от 10 шт. —
470 руб.
от 100 шт. —
356 руб.
от 250 шт. —
306.40 руб.
1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 45 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 250 |
DC Current Gain hFE Max: | 460 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-18-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 340 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.