CMLT3906EG TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Complementary Enhanced

1715 шт., срок 5-7 недель
190 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 100 шт.104 руб.
от 500 шт.83.59 руб.
1 шт. на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005049915
Артикул: CMLT3906EG TR PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 100 mV
Configuration: Dual
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.08

Техническая документация

Datasheet
pdf, 440 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.