TIP29B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1300 шт., срок 5-7 недель

440 руб.

от 10 шт. — 340 руб.

от 100 шт. — 247 руб.

от 500 шт. — 195.57 руб.

1 шт. на сумму 440 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005050251

Артикул: TIP29B TIN/LEAD

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	700 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Gain Bandwidth Product fT:	3 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	6

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем