DDTC113TE-7-F, Digital Transistors 150MW 1K

DDTC113TE-7-F, Digital Transistors 150MW 1K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 руб.
от 10 шт.82 руб.
от 100 шт.39 руб.
от 1000 шт.26.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 98 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005058635
Артикул: DDTC113TE-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 600
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-523-3
Peak DC Collector Current: 100 mA
Product Category: Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series: DDTC113
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Typical Input Resistor: 1 kOhms
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 425 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов