DDTC123JE-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW

DDTC123JE-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт.83 руб.
от 100 шт.32 руб.
от 1000 шт.18.64 руб.
1 шт. на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005058655
Артикул: DDTC123JE-7-F
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 150mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.75 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 80
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC123
Тип NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.046
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-523-3
Ширина 0.8 mm
Вес, г 0.002

Техническая документация

Datasheet
pdf, 150 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов