FP10R12W1T4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 20A
![FP10R12W1T4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 20A](https://static.chipdip.ru/lib/348/DOC031348919.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 800 руб.
от 10 шт. —
9 130 руб.
от 24 шт. —
8 290 руб.
1 шт.
на сумму 10 800 руб.
Плати частями
от 2 700 руб. × 4 платежа
от 2 700 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
Configuration: | 3-Phase Inverter |
Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 24 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | EASY1B |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000364069 FP10R12W1T4BOMA1 |
Pd - Power Dissipation: | 105 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | Trenchstop IGBT4-T4 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | EasyPIM |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1135 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов