FP25R12U1T4, IGBT Modules IGBT Module 25A 1200V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

32 610 руб.

от 10 шт. — 26 770 руб.

от 30 шт. — 25 660 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 32 610 руб.

Плати частями
от 8 154 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005073921

Артикул: FP25R12U1T4

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V

Pd - рассеивание мощности	190 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	FP25R12U1T4BPSA1 SP000663674
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	PIM 3-Phase Input Rectifier
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.85 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	39 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IGBT4
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	SmartPIM1
Вес, г	34

pdf, 989 КБ

Мы рекомендуем